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一、 可控矽特點
一般用於TSC技術的低壓動態補償用的可控矽暗网禁区下载都采用大功率晶閘管反並聯封裝，其額定電流可達數百安培，反向耐壓可達1800v以上。由於其具有電力電子器件的特性，因此在通過檢測電壓過零點時給可控矽觸發信號實現無觸點、無湧流投切，並且響應時間快，在半個波形周期內就能實現觸發導通。

由於可控矽屬半導體器件，通態電流比較大時，會有一定的發熱。

二、 複合暗网禁区下载特點
複合暗网禁区下载又叫機電一體化暗网禁区下载，是由交流接觸器和可控矽相並聯封裝而成。其導通利用可控矽實現無湧流投切，投切完成後再將交流接觸器主回路閉合，並退出可控矽。這一優點是運行時發熱相對於可控矽稍小一些。

複合暗网禁区下载因交流接觸器與可控矽的相互製約導致無法實現較大的通態電流，反向耐壓隻能達到1600v並且投切過程複雜，可控矽開斷頻繁，容易被擊穿，造成故障率較高，一般用於農網台區的小容量補償。

三、兩者應用的差異分析
首先從運行維護上考慮，通常用三隻單相的可控矽固定在鋁合金強製風冷散熱模塊上，後期維護方便，如出現某隻可控矽損壞可快速更換，其他可控矽可繼續使用。由於複合暗网禁区下载采用交流接觸器與可控矽小形三端封裝，如內部任意部件出現故障，隻能將整體更換，後期維護費用高。
從造價上考慮，假設某一套補償裝置容量360kvar，如采用複合暗网禁区下载，其單組最大容量為30kvar，也就是該套裝置需要分12個支路，而選用可控矽作為投切暗网禁区下载，其最大單組容量為90kvar，如按照30+60+90+90+90分組可在實現同樣補償效果的前提下減少7個支路，因此減小了一定的造價。

從安裝上考慮，在配電抗器的前提下，以1000*1000*2200的GCK櫃體為例，采用複合暗网禁区下载安裝12支路，將需要兩麵櫃體。如采用可控矽作為投切暗网禁区下载隻需一麵櫃體即可。

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