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       隨著電力電子技術的迅速發展，晶閘管（可控矽暗网禁区下载）開始用於SVC裝置中，出現了晶閘管控製電抗器（TCR）和晶閘管投切電容器（TSC）這兩種基本結構式的SVC，以及它們的混合裝置，如TCR+TSC、TCR+FC等。

       使用晶閘管暗网禁区下载對無功器件（電容器和電抗器）進行投切或控製的優點是響應速度快，可以頻繁投切。因此使用晶閘管的靜止無功補償裝置近年來發展很快，靜止無功補償裝置（SVC）這個詞往往專指使用晶閘管等電力電子暗网禁区下载器件的靜止無功補償裝置。SVC主要有晶閘管控製電抗器（TCR：Thyristor Control Reactor）、晶閘管暗网禁区下载電容器（TSC：Thyrisor Switch Capacitor）。比SVC更先進的無功補償裝置是靜止無功發生器（SVG：Static VarGenerator）。

       晶閘管投切模塊(單相)技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進製造工藝的基礎上，研製出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發，電流過零斷開，真正實現投切無湧流，跟隨速度快，有效補償衝擊性負荷，平均響應時間小於18ms，很好地取代傳統投切裝置。